首页 / 在线库存
  • 产品型号：IKB30N65ES5ATMA1
  • 制 造 商：Infineon，英飞凌
  • 出厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 功能类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 功能描述：IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
芯立达（深圳）科技实业有限公司提供IKB30N65ES5ATMA1报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格，那就马上与我们联系吧！
询价热线18138805753
在线客服 QQ交谈
详细信息

IKB30N65ES5ATMA1 >>> Infineon，英飞凌，芯立达（深圳）科技实业有限公司提供Infineon，英飞凌公司IKB30N65ES5ATMA1报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购IKB30N65ES5ATMA1？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

  • 制造商产品型号：IKB30N65ES5ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：TrenchStop? 5
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：62A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：188W
  • 开关能量：560μJ（开），320μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：70nC
  • 25°C时Td（开/关）值：17ns/124ns
  • 测试条件：400V，30A，13 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：75ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB