首页 / 在线库存
  • 产品型号：IRLHS6342TRPBF
  • 制 造 商：Infineon，英飞凌
  • 出厂封装：
  • 功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 功能描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
芯立达（深圳）科技实业有限公司提供IRLHS6342TRPBF报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格，那就马上与我们联系吧！
询价热线18138805753
在线客服 QQ交谈
详细信息

IRLHS6342TRPBF >>> Infineon，英飞凌，芯立达（深圳）科技实业有限公司提供Infineon，英飞凌公司IRLHS6342TRPBF报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购IRLHS6342TRPBF？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

  • 制造商产品型号：IRLHS6342TRPBF
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.7A（Ta），19A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1019pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-PQFN（2x2）