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  • 产品型号：IPD90N10S4L06ATMA1
  • 制 造 商：Infineon，英飞凌
  • 出厂封装：
  • 功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 功能描述：MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
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  • 制造商产品型号：IPD90N10S4L06ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 90A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 90μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6250pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3-313