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  • 产品型号：IPP054NE8N G
  • 制 造 商：Infineon，英飞凌
  • 出厂封装：
  • 功能类别：OptiMOS?
  • 功能描述：MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
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  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPP054NE8N G
  • 制造厂家名称：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：85V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：180nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12100pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220-3