- 产品型号:SPB07N60C3
- 制 造 商:Infineon,英飞凌
- 出厂封装:
- 功能类别:CoolMOS?
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
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Infineon英飞凌公司完整型号:SPB07N60C3制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.3A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 350μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):790pF @ 25V功率 - 最大值:83W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263-3